米IBMは米国時間2010年12月23日、ナノワイヤー上に微細な磁気パターンを記録する新型メモリー「レーストラックメモリー」ついて、高速かつ精密なパターン制御技術を開発したと発表した。これにより、ポータブルデバイスなどの記憶容量を現在の約100倍以上に向上するメモリーデバイスの実用化が近づいたという。
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